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三星再陷兩起專利侵權案

首頁- 百科- 發明專利 | 2016年12月06日 | 閱讀次數:1933

摘要 :


    在與蘋果的專利侵權案中敗訴后,最近三星又陷入兩起專利訴訟。

    據了解,三星畫圖解鎖專利侵權近日被福州市中級人民法院判決敗訴,相關手機停止銷售并給以專利方給以1000萬賠償。

    除了這一樁,有消息稱,三星被指侵犯了與鰭式場效應晶體管(FinFET)制程工藝相關的專利,面臨 專利訴訟 。韓國科學技術院(KAIST)計劃對三星提起訴訟,指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱,他們開發了10納米FinFET工藝,但是三星竊取了這項技術,并將其用于生產高通驍龍835芯片。

    KAIST表示,三星是在邀請FinFET技術開發者、首爾大學教授李鐘浩(Lee Jong-ho)向公司工程師展示FinFET技術原理時盜取了這項技術。李鐘浩是KAIST合伙人之一。

    “三星在分文未花的情況下盜取了李鐘浩的發明,從而削減了開發時間和成本。隨后,三星在沒有取得授權或支付適當賠償金的情況下繼續使用李鐘浩的發明,”KAIST稱。

    KAIST表示,英特爾已意識到他們才是FinFET技術的真正開發者,并取得了授權使用這項技術,但是三星并未這么做。KAIST還認為高通、臺積電也侵犯了FinFET技術專利。

來源:北京商報




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